ячейка памяти

Над пьезоэлементом расположена ячейка памяти (Ia) изготовленной также на основе PZT и отделенной от пьезоэлемента диэлектрическим слоем (3), выполненным также из окиси кремния.

Over the piezoelement there is a memory cell (1a) made also on the base of PZT and separated from the piezoelement by the dielectric layer (3), made also from silicon oxide.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

По величине тока можно определить, какой характер имеет волна упругой деформации и, соответственно, каким образом была поляризована, т.е. запрограммирована ячейка памяти, которая является и источником упругой деформации.

On the current value it is possible to identify the character of resilience and correspondingly the way of polarization or programming of the memory cell that is at once the source of resilience.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Таким образом, ячейка памяти (Ia) является зоной хранения информации, в то время как полевой транзистор с плавающим затвором (1) является зоной считывания.

Thus the memory cell (1a) is the zone for data storage while the field transistor with the floating gate (1) is the reading zone.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

По факту резкого уменьшения протекаемого через транзистор тока, можно определить каким образом была поляризована, т.е. запрограммирована ячейка памяти.

On the fact of abrupt decrease of the current running through the transistor it is possible to identify how the memory cell-was programmed.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Сгенерированные заряды создают соответствующие им- пульсы напряжения на электродах (2а) и (26), полярность и величина которых, зависит от величины и направления поляризации ферроэлектрической ячейки памяти, т.е. от ранее записанной информации.

Generated charges produce adequate voltage impulses on electrodes (2a) and (2b), which polarity and value depends on the value and direction of ferroelectric memory cell polarization, i.e. from prerecorded information.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

В то же время, высокочувствительная одно-транзисторная ячейка с пьезоэлектрическим плавающим затвором (1) позволяет быстро регистрировать волны упругой деформации, вызванные приложением считывающих потенциалов к ферроэлектрической ячейке памяти (1a).

At the same time, highsensitive one-transistor cell with piezoelectric floating gate (1) provides for fast registration of the resilience wave induced by application of reading potentials to ferroelectric memory cell (1a).

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Поскольку, все ферроэлектрики являются одновременно и пьезоэлектриками, то, как отмечалось выше, весьма эффективно использовать прямой и обратный пьезоэффекты для неразрушаемого извлечения, считывания информации с ферроэлектрической ячейки памяти.

Since all ferroelectrics are at once piezoelectrics then, as it was stated above, it is rather efficient to use direct and reverse piezoeffects for nondestructive extraction and data reading from ferroelectric memory cells.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Основываясь на этом, легко проследить, как различные входные комбинации могут использоваться для выбора содержимого требуемой ячейки памяти.

Based on this understanding, it’s easy to see how different input combinations can be used to select the contents of the various SRAM cells.

Максфилд, Клайв / Проектирование на ПЛИС. Архитектура, средства и методы. Курс молодого бойцаMaxfield, Clive / The design warrior's guide to FPGAs: Devices, Tools and Flows

The design warrior's guide to FPGAs: Devices, Tools and Flows

Maxfield, Clive

© 2004, Mentor Graphics Corporation and Xilinx, Inc.

Проектирование на ПЛИС. Архитектура, средства и методы. Курс молодого бойца

Максфилд, Клайв

© Издательский дом «Додэка-XXI», 2007

Когда следующее за полем другое поле не влезает в частично заполненную ячейку памяти, оно может оказаться разделенным между двумя ячейками, или ячейка может быть забита балластом.

When a field following another field will not fit into a partially-filled storage unit, it may be split between units, or the unit may be padded.

Керниган, Б.,Ритчи, Д. / Язык программирования СиKernighan, Brian W.,Ritchie, Dennis M. / The C Programming Language

The C Programming Language

Kernighan, Brian W.,Ritchie, Dennis M.

© 1988, 1978 by Bell Telephone Laboratories, Incorporated

Язык программирования Си

Керниган, Б.,Ритчи, Д.

© 1998,1978 by Bell Telephone Laboratories, Incorporated

© "Невский Диалект", 2001

Сгенерированные заряды создают соответствующее импульсы напряжение на электродах (12) и (12а), полярность и величина которых, зависит от величины и направления поляризации ферроэлектрической ячейки памяти, т.е. от ранее записанной информации.

Generated charges create corresponding voltage impulses on the electrodes (12) and (12a), which polarity and value depend on the value and direction of ferroelectric memory cell polarization, i.e. prerecorded information.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Исходное состояние ячеек памяти:

Initial states for memory cells:

http://www.patentlens.net/ 26.12.2011

http://www.patentlens.net/ 26.12.2011

Соответственно, элемент памяти включает 2-4 или более ферроэлектрических ячеек памяти расположенных над ним и р аз деленных друг от друга изолирующим диэлектриком.

Accordingly the memory element includes 24 or more ferroelectric memory cells placed over it and separated from each other by the insolating dielectric.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

По крайней мере, один из пьезоэлементов должен быть выполнен из ферроэлектрического материала и является ячейкой памяти.

At least one of the piezoelements is a memory cell and should be made from the ferroelectric material.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Проверочные же элементы останутся в ячейках памяти четвертого блока оперативной памяти 37 и будут замещены й проверочными элементами следующего кодового слова.

Check elements are kept, as discarded, in memory cells of the fourth operative memory unit 37 and are changed in these cells for check elements of a next code word.

http://www.patentlens.net/ 26.12.2011

http://www.patentlens.net/ 26.12.2011

Ферроэлектрический элемент памяти по п. 7, характеризующийся тем, что нижний электрод ячейки памяти отделен от электродного затвора полевого транзистора диэлектрическим слоем или выполнен совмещенным с электродным затвором.

The ferroelectric memory element according to claim 10 wherein a lower electrode of the cell memory separated from the electrode gate of the field transistor by the dielectric layer or made conjoint with the electrode gate.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011