n-region

The photo-EMF polarity corresponds to the p-n-junction direct bias which lowers the height of a potential barrier and facilitates injection of the holes from the p-region into the n-region and of the electrons from the n-region into the p-region.

Полярность фото ЭДС соответствует прямому смещению р-п перехода, которое понижает высоту потенциального барьера и способствует инжекции дырок из р-области в п-область и электронов из п-области в р-область.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Two separate electrodes—an anode (positive) and a cathode (negative) are arranged adjacent to p- and n-regions.

Kp я п областям прилегают два отдельных электрода — анод (положительный) и катод (отрицательный).

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

The uniformity of p-n-junctions is a necessary criterion (i.e. equivalent) of the uniformity of the first conductivity type regions (p- or n-regions).

Однотипность р-п переходов является необходимым условием (т.е. эквивалентом) однотипности областей с проводимостью первого типа (р или и областей).

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

FIG. 1 shows one the proposed embodiments of the diffusion PEC with N discrete current-collecting regions 2 and p-n-junctions 2a.

На фиг.l представлен один из предлагаемых вариантов диффузионного ФЭП с N дискретными токосборными областями 2 и р-п переходами 2а.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Double-Sided Bunched Converter with Traditional Collecting n+ Region and Line-Grid Collecting Buses

Двусторонний пучковый преобразователь с традиционной собирающей n+ областью и линейчато-сеточными собирающими шинами.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011