туннельный

Он показал, что туннельный ток определяется изменением фазы параметра порядка в области контакта.

He showed that the tunnel.ng current would be determined by the change in phase of the order parameter across the junction.

Ashcroft, Neil,Mermin, David / Solid state physicsАшкрофт, Н.,Мермин, Д. / Физика твердого тела

Физика твердого тела

Ашкрофт, Н.,Мермин, Д.

Solid state physics

Ashcroft, Neil,Mermin, David

© 1976 by Harcourt, lnc

Туннельный аппарат вторичной пастеризации 9 представляет собой изолированный канал с движущейся внутри вдоль него транспортерной лентой, на которую устанавливаются бутыли с молоком.

Tunnel apparatus of secondary pasteurization 9 is designed as an isolated channel with a transporter belt moving inside along it; the bottles with milk are placed on the belt.

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

Дополнительно устройство обработки молока снабжено туннельным аппаратом вторичной пастеризации с транспортерной лентой, который снабжен СВЧ-излучателями, расположенными вдоль транспортерной ленты.

In addition the milk treating device is equipped with a tunnel apparatus of secondary pasteurization with a transporting belt which is provided with UHF-radiators installed along the transporting belt.

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

При длительности импульса меньше 10 пс, как видно из вышеуказанной статьи, действующим механизмом пробоя, наряду с ударной, становится многофотонная и туннельная ионизация.

At duration of a pulse there are less than 10 ps, as it is visible from above-stated diagram working breakdown mechanism, alongside with shock, becomes multiphotonic and tunnel ionization.

http://www.patentlens.net/ 1/4/2012

http://www.patentlens.net/ 1/4/2012

Исследования с помощью сканирующих электронного и туннельного микроскопов, рентгеновской дифрактометрии подтвердили на поверхности зерен наличие нанокристаллической углеродной пленки.

Studies by scanning electron and scanning tunneling microscopes and X-ray difractometry confirmed presence on the powder grains surface of the nanocrystalline carbon film.

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

При работе Лазера 30 такие подслои обеспечивают туннельное протекание тока от одного активного слоя к другому, при этом при одном и том же токе, но примерно при удвоенном приложенном напряжении, выходная мощность излучения увеличилась в два раза.

In operation of the Laser 30 such sublayers provided the tunnel passage of current from one active layer to another, and at the same current, but approximately at the doubled applied voltage, output power increased by the power of two.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

В туннельном режиме исходная дейтаграмма IP помещается в зашифрованную часть ESP, а весь кадр ESP помещается в дейтаграмму с незашифрованными заголовками IP.

In Tunnel-mode ESP, the original IP datagram is placed in the encrypted portion of the Encapsulating Security Payload and that entire ESP frame is placed within a datagram having unencrypted IP headers.

Сиян, Каранжит,Паркер, Тим / TCP/IP для профессионаловSiyan, Karanjit S.,Parker, Tim / TCP/IP Unleashed

TCP/IP Unleashed

Siyan, Karanjit S.,Parker, Tim

© 2002 by Sams Publishing

TCP/IP для профессионалов

Сиян, Каранжит,Паркер, Тим

© 2002 by Sams Publishing

© Перевод на русский язык, ЗАО Издательский дом «Питер», 2004

© Издание на русском языке, оформление, ЗАО Издательский дом «Питер», 2004

Целесообразно использовать полупроводниковую структуру в качестве активного слоя диода Ганна и/или туннельного диода и/или BARRIT диода и/или транзистора.

It is expedient to utilize the semiconductor structure as the active layer of the Gunn diode and/or of the BARRIT diode and/or of the transistor.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

Можно выполнить полупроводниковый прибор в виде туннельного диода.

The semiconductor device may be made as the tunnel diode.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

Следующая модификация ПУЭ 40, используемая также в ПОУ, отличалась от модификации Лазера 30 с двумя активными слоями при туннельном протекании тока между ними только коэффициентами отражений просветляющих покрытий 10 41,42, равными 0,01%.

The following embodiment of the SAE 40 used also in the SOA differed from the embodiment of the Laser 30 with two active layers with the tunnel passage of current between them only by reflection coefficients of the clarifying films 41, 42 of 0.01%.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011