усилительный

Полупроводниковый усилительный элемент по п. 11, отличающийся тем, что полосковая область протекания тока выполнена наклонной под соответствующим углом наклона к плоскости оптической грани.

The semiconductor amplifying element as defined in claim 11 wherein the said stripe region of current flow made inclined to the cavity of the optical facet at an said appropriate angle.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Полупроводниковый усилительный элемент по п. 11, отличающийся тем, что слой втекания области втекания имеет толщину примерно равную ширине введённой полосковой области протекания тока.

The semiconductor amplifying element as defined in claim 11 wherein the said leak-in layer of the said leak-in region has a thickness approximately equal to the width of the introduced stripe region of current flow.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Полупроводниковый усилительный элемент по п. 15, отличающийся тем, что задающий источник входного излучения выполнен в виде инжекционного лазера.

The semiconductor optical amplifier as defined in claim 15 wherein the said master source of input emission made as an injection laser.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

В результате был изготовлен усилительный модуль, способный усиливать мощность излучения примерно в 20 раз при входной мощности 2 Вт.

The result and amplifier module was capable to amplify radiation power approximately in 20 times at an input power of 2 W.

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

Полупроводниковый усилительный элемент по п.11, отличающийся тем, что противоположные оптические грани с нанесенными на них просветляющими покрытиями оптически соединены с оптическими волокнами.

The semiconductor amplifying element as defined in claim 11 wherein the opposite said optical facets with the said clarifying films applied to them being optically coupled with the optical fibers.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Полупроводниковый усилительный элемент по п. 15, отличающийся тем, что инжекционный лазер выполнен по п.9.

The semiconductor amplifying element as defined in claim 15 wherein the injection laser made as defined in claim 9.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

ГЕТЕРОСТРУКТУРА, ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ

HETEROSTRUCTURE, INJECTOR LASER, SEMICONDUCTOR AMPLIFYING ELEMENT AND A SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER A FINAL STAGE

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

В этом случае усилительная и основная решетки объединены общим ободом.

In such a case a support grid and the main grid are embraced by a common rim.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Далее переменные сигналы с помощью усилительно-коммутирующего элемента Зу-2 и резисторов Зу-З одинаково усиливаются по мощности.

Then with the help of amplifying and commuting element 3a-2 and resistors 3a-3 AC signals are equally amplified in terms of power.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

Дистанционирующая решетка по настоящему изобретению может быть использована как усилительная решетка совместно с основной решеткой.

The spacing grid of this invention may be used as a support grid together with the main grid.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Блоки Зу состоят из схемы усиления Зу-1, усилительно- коммутирующего элемента Зу-2 и резисторов Зу-З.

Blocks 3a consist of scheme of amplification 3a-l, amplifying and commuting element 3a-2, and resistors 3a-3.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

Далее с помощью усилительно-коммутирующего элемента Зу-2 и резисторов Зу-З переменные сигналы усиливаются по мощности и поступают на выход 4.

Then with the help of amplifying and commuting element 3a-2 and resistors 3a-3 AC signals are amplified in terms of power and are transferred to the output 4.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

При работе полупроводникового усилительного элемента средой распространения усиливаемого излучения являются по крайней мере часть области втекания, по крайней мере часть активного слоя.

In operation of the semiconductor amplifying element the propagation medium of amplified emission is at least part of the said leak-in region and at least part of the active layer.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

При этом коэффициент усиления усилителей 9 выбирают порядка 4 исходя из того, что Fm может в 4 раза превышает Fo, что позволяет измерить сигнал флуоресценции за один импульс без подстройки усилительного тракта.

Besides, the amplification coefficient of amplifiers 9 is selected to be about 4 in view of that Fm can 4 times exceed Fo allowing the fluorescence signal to be measured per one pulse without adjusting the amplification path.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011