temperature dependence

The temperature dependence of reactions can also be expressed in terms of the Arrhenius equation:

Температурную зависимость реакций можно выразить также на основе уравнения Аррениуса:

Carey, Francis A.,Sundberg, Richard J. / Advanced Organic Chemistry. Part A: Structure and MechanismsКери, Ф.,Сандберг, Р. / Углубленный курс органической химии. Книга 1

Углубленный курс органической химии. Книга 1

Кери, Ф.,Сандберг, Р.

© 1977 Plenum Press. New York

© Перевод на русский язык, издательство «Химия», 1981г.

Advanced Organic Chemistry. Part A: Structure and Mechanisms

Carey, Francis A.,Sundberg, Richard J.

© 2000, 1990, 1984, 1977 Kluwer Academic / Plenum Publishers

Temperature Dependence of the DC Electrical Conductivity

Температурная зависимость статической электропроводности.

Ашкрофт, Н.,Мермин, Д. / Физика твердого телаAshcroft, Neil,Mermin, David / Solid state physics

Solid state physics

Ashcroft, Neil,Mermin, David

© 1976 by Harcourt, lnc

Физика твердого тела

Ашкрофт, Н.,Мермин, Д.

To improve the temperature dependences of the SAE parameters, the confining layer is made with a thickness chosen within the range from about 0.01 xm to about 0.30 im.

Для улучшения температурных зависимостей параметров ПУЭ локализующий слой выполняют толщиной, выбранной из диапазона примерно от 10 0,01 мкм до примерно 0,30 мкм.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

To improve the temperature dependences of the SOA parameters, the confining layer of the SAE HS is made with a thickness chosen from the range from about 0.01 un to about 0.30 mi.

Для улучшения температурных зависимостей параметров ПОУ локализующий слой ГС ПУЭ выполняют с толщиной, выбранной из диапазона примерно от 0,01 мкм до примерно 0,30 мкм.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

In this way all gradations of conductivity and its dependence on temperature can be explained qualitatively, and there exists to-day a satisfactory theory of semi-conductors (Fowler, "Wilson).

Таким образом можно качественно объяснить все градации проводимости и ее зависимость от температуры; в настоящее время существует удовлетворительная теория полупроводников (Фаулер, Уилсон).

Born, Max / Atomic PhysicsБорн, Макс / Атомная физика

Атомная физика

Борн, Макс

Atomic Physics

Born, Max

wide-gap semiconductor due to less dependence on temperature ensures a capacity for work at significantly higher temperatures (up to 500 EC and even more) and at higher pulse repetition rates;

широкозонный полупроводник обеспечивает в силу меньшей зависимости от температуры работоспособность при существенно более высоких температурах рабочей среды (до 500 °С и более) и больших частотах следования импульсов;

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011