diode

The emission source may be a light-emitting diode optically bound with the emission filtration block and the microchip by means of optical elements, lenses and mirrors, for example.

Источником излучения может служить светодиод, оптически связанный с блоком фильтрации излучения и микрочипом посредством оптических элементов, например линз и зеркал.

http://www.patentlens.net/ 11/22/2011

http://www.patentlens.net/ 11/22/2011

As a diode, one can use, for instance, a device based on GaNInN compounds.

В качестве диода можно использовать, например, на основе соединений GaNInN.

http://www.patentlens.net/ 11/8/2011

http://www.patentlens.net/ 11/8/2011

The tuning plug (8) is arranged above an upper electrod of the IMPATT diode (4) (inside the axis of the diode).

Настроечный штырь 8 расположен над верхним электродом IMPATT диода 4 (в оси диода).

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

The infrared diode and the light receptor are also able to sense and record the diffused light signal reflected off the observed field.

Сенсорный блок в каждом канале включает инфракрасный диод и фотоприемник, расположенные с возможностью регистрации отраженного от лоцируемой области рассеянного светового сигнала.

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

The light-emitting diode 3 is arranged in the head 5.

Светодиод 3 размещен в головке 5.

http://www.patentlens.net/ 01.12.2011

http://www.patentlens.net/ 01.12.2011

The anode of each diode (VD1 or VD2) is connected through the second capacitor (C5 or C6) to the respective antenna 1 or 2.

Анод диода (VDl или VD2) подсоединен через второй конденсатор (С 5 или C6) к соответствующей антенне 1 или 2.

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

The upper electrode of the diode 4 is on a level with the upper surface of the microstrip board 3.

Уровень верхнего электрода диода 4 совпадает с верхней поверхностью микрополосковой платы 3.

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

The IMPATT diode 4 in the retainer 6 is placed at the centre of the T-bend which is formed in the multiplier case.

IMPATT диод 4 на держателе 6 установлен в центре Т-образного тройника, который сформирован в корпусе умножителя.

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

The nonlinear element shown is a diode, Signal spectrum showing upper and lower sidebands that are converted to the intermediate frequency.

В качестве нелинейного элемента показан диод; спектр, показывающий верхнюю и нижнюю боковые полосы сигнала, преобразуемые к промежуточной частоте.

Thompson, A. Richard,Moran, James M.,Swenson, George W. / Interferometry and Synthesis in Radio AstronomyТомпсон, А.Р.,Моран, Д.М.,Свенсон, Д.У. / Интерферометрия и синтез в радиоастрономии

Интерферометрия и синтез в радиоастрономии

Томпсон, А.Р.,Моран, Д.М.,Свенсон, Д.У.

© John Wiley & Sons, Inc., 2001

© ФИЗМАТЛИТ, 2003

Interferometry and Synthesis in Radio Astronomy

Thompson, A. Richard,Moran, James M.,Swenson, George W.

© 2001 by John Wiley & Sons, Inc.

© 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

If the key 31 is pressed when the light-emitting diode is on, the output signal frequency rises.

Если при включенном светодиоде нажат ключ 31, то увеличивается частота выходного сигнала.

http://www.patentlens.net/ 1/4/2012

http://www.patentlens.net/ 1/4/2012

The IMPATT diode 4 operating in cascade breakdown mode and having a sharp nonlinearity transforms an input signal in such a way that ultraharmonics which multiple in respect to the input signal frequency to occur in the frequency spectrum.

IMPATT диод 4, работающий в режиме лавинного пробоя и обладающий резко нелинейной характеристикой преобразует входной сигнал, так что в частотном спектре появляются более высокие 15 гармоники, кратные частоте входного сигнала .

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

Photodetector 7 of the diode type with time resolution of a nanosecond range is used.

Используется фотоприемник диодного типа с временным разрешением наносекундного диапазона.

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

The method for forming a matrix image as in claim 1, characterized that in two adjacent pixels they set a common light-emitting diode of green luminescence color.

Способ формирования матричного изображения по любому из п.п.1,2, отличающийся тем, что в двух смежных пикселях устанавливают общий светодиод зеленого цвета свечения.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

The sides of light cluster rectangle, parallel to information bar contain light-emitting diodes of blue and green luminescence colors and a common light-emitting diode of adjacent pixels is of red luminescence color.

Стороны прямоугольника светового кластера, параллельные информационной стойки, содержат светодиоды синего и зеленого цветов свечения, а общий светодиод смежных пикселей - красного цвета свечения.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

In a particular case as an active element is used the Gunn diode.

В частном случае в качестве активного элемента использован диод Ганна.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011