туннельный диод

Целесообразно использовать полупроводниковую структуру в качестве активного слоя диода Ганна и/или туннельного диода и/или BARRIT диода и/или транзистора.

It is expedient to utilize the semiconductor structure as the active layer of the Gunn diode and/or of the BARRIT diode and/or of the transistor.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

Можно выполнить полупроводниковый прибор в виде туннельного диода.

The semiconductor device may be made as the tunnel diode.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011