полупроводниковый

В качестве источника лазерного излучения, в данном случае используется^одномодовый полупроводниковый лазер с удвоением частоты, работающий на длине волны 532 нм и мощностью 2 мвт, имеющий линейную поляризацию.

In this case, a single-mode semiconductor laser with the frequency doubling is used as a source of a laser radiation, the laser working at the wavelength of 532 nm and having the power of 2 MW and the linear polarization.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

В областях вывода вместе со слоями гетероструктуры имеется полупроводниковый слой втекания, состоящий по крайней мере из одного подслоя и возвышающийся над наружной поверхностью областей генерации.

In the output regions together with the heterostructure layers there is a semiconducting leak-in layer consisting of at least one sublayer and raising above the external surface of the generation regions.

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

На фиг.l изображена традиционная оптическая схема измерений размеров частиц методами спектроскопии оптического смешения, где 1 - аргоновый, He-Ne или полупроводниковый лазер;

FIG. 1 shows a conventional optical arrangement for measuring particle sizes by optical mixing spectroscopy techniques, where 1 is an argon, He—Ne or semiconductor laser;

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

http://www.patentlens.net/ 18.10.2011

Можно выполнить полупроводниковый прибор в виде BARRIT диода.

The semiconductor device may be made as the BARRIT diode.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

Можно выполнить полупроводниковый прибор в виде туннельного диода.

The semiconductor device may be made as the tunnel diode.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

В области вывода вместе со слоями лазерной гетероструктуры имеется возвышающийся над областью усиления и состоящий по крайней мере из одного подслоя полупроводниковый слой втекания излучения.

In the output region together with layers of the laser heterostructure there is a semiconducting layer for leak-in of emission raising above the amplification region and consisting of at least one sublayer.

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

Можно выполнить полупроводниковый прибор в виде диода Ганна.

The semiconductor device may be made as the Gunn diode.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

В качестве источника 1 могут быть использованы, например, полупроводниковый суперлюминисцентный диод, суперлюминесцентный диод на легированном оптическом волокне, твердотельный или оптоволоконный фемтосекундный лазер.

A semiconductor superluminescent diode, a spontaneous emission superluminescent diode based on doped optical fiber, a solid-state or fiber-optic femtosecond laser, are capable of being used as the source 1.

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

Это позволяет в одной стадии получить высокого качества электролитически чистый полупроводниковый

It is possible to produce electrolytically pure semiconductor silicon of high quality and high-purity elemental fluorine at one stage.

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

Целесообразно ввести в устройство двухпроводниковую металлическую спираль, имеющую участки, закрученные во встречных направлениях, при этом спираль размещена на диэлектрической подложке, а полупроводниковый прибор установить в центре спирали.

It is expedient to introduce into the device a bi-conductor metal spiral having rounded sections directed towards each other, besides the spiral is placed on a dielectric backing and the semiconductor device is placed in the center of the spiral.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

Можно выполнить полупроводниковый прибор в виде транзистора.

The semiconductor device may be made as the transistor.

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

http://www.patentlens.net/ 10/27/2011

Полупроводниковый усилительный элемент по п. 11, отличающийся тем, что полосковая область протекания тока выполнена наклонной под соответствующим углом наклона к плоскости оптической грани.

The semiconductor amplifying element as defined in claim 11 wherein the said stripe region of current flow made inclined to the cavity of the optical facet at an said appropriate angle.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Полупроводниковый усилительный элемент по п. 11, отличающийся тем, что слой втекания области втекания имеет толщину примерно равную ширине введённой полосковой области протекания тока.

The semiconductor amplifying element as defined in claim 11 wherein the said leak-in layer of the said leak-in region has a thickness approximately equal to the width of the introduced stripe region of current flow.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Полупроводниковый усилительный элемент по п. 15, отличающийся тем, что задающий источник входного излучения выполнен в виде инжекционного лазера.

The semiconductor optical amplifier as defined in claim 15 wherein the said master source of input emission made as an injection laser.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

Полупроводниковый усилительный элемент по п.11, отличающийся тем, что противоположные оптические грани с нанесенными на них просветляющими покрытиями оптически соединены с оптическими волокнами.

The semiconductor amplifying element as defined in claim 11 wherein the opposite said optical facets with the said clarifying films applied to them being optically coupled with the optical fibers.

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011

http://www.patentlens.net/ 11/11/2011