кремниевая подложка

В описании взята для примера кремниевая подложка р типа проводимости.

As an example, a p-conductivity type silicon substrate is disclosed herein;

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Кремниевая подложка с нанесенным слоем SiO2 была очищена в смеси концентрированной серной кислоты и пероксида водорода (3:1) в течение 20 минут.

The silicon substrate covered with the silicon dioxide was cleaned in a mixture of concentrated sulfuric acid and hydrogen peroxide (3:1) during 20 minutes.

http://www.patentlens.net/ 11/22/2011

http://www.patentlens.net/ 11/22/2011

На кремниевую подложку по всей поверхности был нанесен слой оксида кремния SiO2 методом термохимического окисления.

The whole area of the silicon substrate was covered by silicon dioxide SiO2 by thermochemical oxidation.

http://www.patentlens.net/ 11/22/2011

http://www.patentlens.net/ 11/22/2011

После тщательной промывки дистиллированной и деионизованной водой и высушивания, поверхность кремниевой подложки в области вне реакционных зон была обработана полиметилметоксисилоксаном «Пeнтa-111 ».

After thorough washing with demi deionized water and drying the surface of the silicon substrate outside the reaction zones was treated with polymethylmethoxysiloxane “Penta-111”.

http://www.patentlens.net/ 11/22/2011

http://www.patentlens.net/ 11/22/2011

Все устройство в планарном виде изготовлено на одной кремниевой подложке 76.

The device in planar form is integrated on a common silicone substrate 76.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Фоточувствительная ячейка с разделением цветовых компонент света, падающего на ее поверхность, согласно настоящему изобретению, сформирована в кремниевой подложке 1-го типа проводимости с невыпрямляющим контактом 2 и включает:

According to the present invention, a photosensitive cell with separation of color components of light incident to its surface is formed in a silicon substrate of the conductivity of the first type with an ohmic contact 2 and comprises:

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

Тепловая проводимость кремниевой подложки составила 175 Вт/К.

The thermal conductance of the silicon substrate was estimated at 175 W/K.

http://www.patentlens.net/ 11/22/2011

http://www.patentlens.net/ 11/22/2011

Фотоприемная ячейка с разделением цветовых компонент света, падающего на ее поверхность, сформирована в кремниевой подложке первого типа проводимости с невыпрямляющим контактом и включающая:

A photoreceiver cell with separation of color components of light incident to its surface, formed in a silicon substrate of the conductivity of the first type with ohmic contact and comprising:

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

Полученный порошок был нанесен на кремниевую подложку с помощью серебряной пасты.

Thus produced powder was applied on a silicon substrate using a silver paste.

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

Эти технические результаты достигнуты в фоточувствительной ячейке с разделением цветовых компонент света, падающего на ее поверхность, сформированной в кремниевой подложке первого типа проводимости с невыпрямляющим контактом и включающей:

These technical results were achieved in a photosensitive cell with separation of the color components of light incident onto its surface formed in a silicon substrate with the conductivity of the first type with ohmic contact, which comprises:

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

Фильтры всех трех ступеней соединены между собой и со световодами- выводами волноводами 77, сформированными на кремниевой подложке.

Filters of the three stages are connected between each other and with waveguides 77, formed on silicone substrate.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011