засветка

На фиг.З показан возможный вариант получения областей перекрытия пятен засветки, имеющий вид регулярной сетки с квадратными ячейками, в узлах которой расположены суммарные области перекрытия пятен засветки.

FIG. 3 shows a possible implementation of exposure spot overlap areas that is represented as a regular grid with square cells where total exposure spots overlap areas are located in the grid nodes.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

Следует отметить, что хотя распределение интенсивности в пределах пятна засветки может быть получено относительно однородным, однако реальное распределение интенсивности в пределах пятна засветки, как правило, не имеет резких границ.

It should be noted that though it is possible to obtain relatively uniform intensity distribution in the exposure spots, the actual intensity distribution in the exposure spots does not normally have sharp boundaries.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

Таким образом, осуществляют засветку поля объекта.

Thus the exposure of object field is performed.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

На фиг.З показан пример выполнения областей перекрытия пятен засветки.

FIG. 3 is an example of overlapped exposure spots area implementation.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

Возможно осуществлять засветку фоторезиста и при непрерывном пошаговом относительном перемещении подложки с фоторезистом и матрицы.

Hiis is also possible to expose photoresist during continuous movement of a substrate with photoresist and the anay.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

Важно отметить, что в этом случае позиционирование осуществляется в пределах хода точной ступени наноиозиционера, т.к. расстояние между осями излучателей, осуществляющих засветку, может составлять приблизительно 1-100 мкм.

It is important to note that in this case the positioning is done within the motion of precision nanopositioner step because the distance between radiator axes providing the exposure may be around 1-100 micron.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

Следовательно, при формировании суммарных областей перекрытия шаг перемещении необходимо выбирать с учетом формы и вида распределения интенсивности в пятнах засветки, образующих суммарные область перекрытия.

Therefore, to produce cumulative overlap areas the pitch of movement should be selected taking into account the form and type of intensity distribution in exposure spots that create cumulative overlap areas.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

Изобретение характеризуется также тем, что засветку поля объекта осуществляют последовательно в двух линейно независимых поляризационных состояниях.

The invention is also characterized by that the exposure of the object field is performed sequentially in two linearly independent polarization conditions.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

Непрозрачное зеркало устраняет взаимную паразитную засветку пучков.

An opaque mirror eliminates the mutual parasite illumination of the beams.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

Это позволяет использовать отдельные участки пятен засветки, соответствующие определенному участку кривой распределения интенсивности.

This enables using parts of the exposure spots corresponding to certain parts of the intensity distribution curve.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

При этом следует учесть и выигрыш в мощности, благодаря засветке только необходимых для экспозиции участков фоторезиста, а не всей маски, включая и ее участки, поглощающие падающее излучение, как это имеет место даже в случае 13,4 нм-литографии.

Besides, power saving factor should be accounted for because only some parts of photoresist are exposed, and not the entire mask, including those mask areas that absorb falling radiation as it happens even 13.4 nm lithography.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

Полный комфорт стереонаблюдения - это комплекс физического, физиологического и визуального комфортов зрителя без ограничения времени стереонаблюдения при внешней практической паразитной засветке стереоэкрана.

Full comfort of stereoscopic vision is a combination of physical, physiological and visual comfort of a viewer without limitation of stereoscopic viewing time in conditions of external flare light on the stereoscreen.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

Для повышения точности получаемых размеров пятен засветки наиболее целесообразно осуществлять пошаговое перемещение с шагом от 0,01 до 1 нм.

The best accuracy of the exposure spots is achieved at the motion with a pitch from 0.01 to 1 nanometer.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

Однако, в этом случае возникают паразитные блики и засветки, которые влияют на качество регистрируемого изображения РОГ.

In this case, however, there occur spurious glares and flare spots affecting the quality of an iris image to be recorded.

http://www.patentlens.net/ 10/24/2011

http://www.patentlens.net/ 10/24/2011

Способ по п.п.4 или 5, отличающийся тем, что распределение интенсивности в по крайней мере одном из пятен засветки описывается распределениями Гаус- са или Бесселя, или является однородным.

The method according to claim 4, wherein an intensity distribution in at least one exposure spot is described by Gaussian or Bessel distributions or homogeneous.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011