выполнять на транзисторах

Предпочтительно, электронный коммутатор выполнен на полевом транзисторе.

The electronic switch is preferably implemented at field transistor.

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

- ФИГ.6- 9 - заявляемый элемент памяти и массив элементов памяти, выполненных на основе полевого транзистора, с удлиненным каналом;

FIG. 6-9—claimed memory element and memory elements array made on the base of the field transistor with elongate channel;

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

Ферроэлектрический элемент памяти по п. 8, характеризующийся тем, что проводящий канал полевого транзистора выполнен на основе ферроэлектрического полупроводника или на основе гетероструктур.

The ferroelectric memory element according to claim 11 wherein the conductive channel of the field transistor made on a base of the ferroelectric semiconductor or on a base of heretostructures.

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011

http://www.patentlens.net/ 10/26/2011