ohm

For example, the instantaneous power Wp consumed by the inventive sensor at the voltage amplitude V=1.5 V and at a load R=50 Ohm is: F.

Например, мгновенная мощность Wp потребляемая заявленным сенсором при амплитуде напряжения V= 1,5 В, на нагрузке R = 50 Ом составляет F.

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

Two of them are enclosing beds having an electrical resistivity of 1 Ohm·m, and the third bed sandwiched between them has a thickness of 1 m and a specific electrical resistivity of 10 Ohm·m.

Два вмещающих пласта с удельным электрическим сопротивлением 1 Ом-м и один пласт между ними мощностью 1 м и удельным электрическим сопротивлением 10 Ом-м.

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

The string has a specific electrical resistivity of 2.5·10−7 Ohm·m.

Удельное электрическое сопротивление колонны - 2.5-Ю"7 Ом м.

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

The internal ohmic resistance of this element changes slightly from the beginning to the end of discharging and, on the average, was 9.3-10-3 Ohm.

Внутреннее омическое сопротивление данного элемента от начала до конца разряда изменялось слабо и в среднем составляло 9,3 - 1Q"3 Ом.

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

p is specific conductance of the conductive substance (Ohm-m);

р- удельное электрическое сопротивление проводящего вещества (Ом-м),

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

In this implementation of the circuit each of the resistors R3 and R5 has resistance of 500 Ohm, the resistors R7 and R8—22 KOhms, and R6—100 KOhms.

В данной реализации схемы резисторы RЗ и R5 имеют сопротивления 500 Ом, резисторы R7 и R8 - 22 кОм, а R6 100 кОм.

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

The internal ohmic resistance of the capacitor in the beginning and at the end of discharging was practically similar and equal to 5.2-10-3 Ohm.

Внутреннее омическое сопротивление конденсатора в начале и в конце разряда практически одинаково и составляло 5,2 - 10"3 Ом.

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

The internal ohmic resistance of this capacitor in the ^ beginning and at the end of discharging was equal to 8.2-10-3 Ohm, and at the voltage 1.45V on the capacitor decreased to 7.2-10" 3 Ohm.

Внутреннее омическое сопротивление этого конденсатора в начале и в конце разряда было равно 8,2 10"3 Ом, а при напряжении на конденсаторе 1,45 В снижалось до 7,2 10"3 Ом.

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

http://www.patentlens.net/ 12/26/2011

Under the influence of a building structure surface antenna resistance is widely varied, from 10 to 120 Ohm.

Из-за влияния поверхности строительной конструкции сопротивление антенн меняется в широких пределах от 10 до 120 Ом.

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

Conductivity of this electrolyte is 1.7 Ohm/cm at 400° C.

Электропроводность этого электролита при 400°С равна 1,7 См/см.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

In addition, the compensating device comprises a shorted coil made of a material with resistivity less than 2.5x10 ohms/cm.

Кроме того, компенсирующее устройство представляет собой 15 короткозамкнутый виток, выполненный из материала с удельным сопротивлением меньшим 2,5х10"6 Ом/см.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

The values of these on-chip terminating resistors are typically configurable (they can usually be set to 50 ohms or 75 ohms) so as to support a variety of different interface standards and circuit board environments.

Значения этих внутрикристальных согласующих резисторов, как правило, могут конфигурироваться (и обычно может составлять 50 или 75 Ом) для поддержки разных интерфейсов и компонентов печатной платы.

Maxfield, Clive / The design warrior's guide to FPGAs: Devices, Tools and FlowsМаксфилд, Клайв / Проектирование на ПЛИС. Архитектура, средства и методы. Курс молодого бойца

Проектирование на ПЛИС. Архитектура, средства и методы. Курс молодого бойца

Максфилд, Клайв

© Издательский дом «Додэка-XXI», 2007

The design warrior's guide to FPGAs: Devices, Tools and Flows

Maxfield, Clive

© 2004, Mentor Graphics Corporation and Xilinx, Inc.

Each of the resistors R2 and R4 has resistance equal to 10 KOhms, and resistance of R1 is 800 Ohms.

Резисторы R2 и R4 имеют сопротивления равные 10 кОм, а Rl - 800 Ом.

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

http://www.patentlens.net/ 21.10.2011

In the embodiment of FIG. 3, however, the resistors are located inside the solid body 18a and are preferably made of a semiconductive material in order to ensure the required resistance value of about several hundred Ohms.

Однако в данном варианте резисторы размещены внутри твердого тела 18а и предпочтительно выполнены из полупроводящего материала для того, чтобы обеспечить необходимую величину сопротивления порядка сотен Ом.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

The core diameter was 10 mm, and the resistance of each resistor was 400 Ohms.

Диаметр жилы составлял 10 мм, сопротивление каждого резистора составляло 400 Ом.

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011

http://www.patentlens.net/ 12/14/2011