field emission

The field emission emitters in a permanent magnetic field can be placed at significantly laiger distance from the substrate with radiation-sensitive material.

При этом автоэмиссионные эмиттеры, помещенные в постоянное однородное магнитное поле, могут быть размещены на значительно большем расстоянии от подложки с чувствительным к излучению материалом.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

Then due to field emission emitters arrangement in the magnetic field they all can be placed at a distance z exceeding several millimeters from the surface of the material sensitive to the used radiation.

При этом за счет расположения в магнитном поле все автоэмиссионные эмиттеры могут быть расположены на расстоянии z, большем нескольких миллиметров, от поверхности чувствительного к используемому излучению материала.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

All above mentioned reasons related to the use of continuous step movement refer as well to the radiators composed of waveguides in the form of microcones or field emission emitters.

Все указанные выше доводы, касающиеся использования непрерывного пошагового перемещения, относятся так же и к излучателям, содержащим световоды в виде микроконусов или автоэмиссионные эмиттеры.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

In order to move the field emission emitters or the substrate with the material sensitive to used radiation XYZ- nanopositioner with 0.0111111 pitch can be installed.

Для осуществления перемещения автоэмиссионных эмиттеров или подложки с чувствительным к используемому излучению материалом может быть введен XYZ-нанопозиционер с шагом до 0,01 нм.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

The distance from field emission emitters' ver- texes (spikes) to photoresist surface may reach tens of millimeters without loss of resolution and intensity under effect of respective magnetic field.

Причем расстояние от вершин эмиттеров (острий) автоэмиссионной матрицы до поверхности фоторезиста может достигать десятков миллиметров без потери разрешения и интенсивности при приложении соответствующего магнитного поля.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

The use of field emission spiking arrays with individually controlled pikes provides the following capabilities:

Использование автоэмиссионных острийных матриц с индивидуально управляемыми остриями позволяет:

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

The natural development of proposed photolithography technology is the use of auto-emitting spiking arrays, i.e. the arrays of field emission emitters.

Естественным развитием предлагаемой матричной технологии фотолитографии является использование автоэмиссионных острийных матриц, т.е. матриц автоэмиссионных эмиттеров.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

Apart from this the array of field emission emitters connected to at least one power supply unit can be used as a radiator array.

Помимо этого в качестве каждой из матриц излучателей может быть использована матрица автоэмиссионных эмиттеров, соединенных с по крайней мере одним источником тока.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

However, if required field emission emitters can be placed at shorter distance, for example 1-5000 nanometers from the surface of the material sensitive to used radiation.

Однако при необходимости автоэмиссионные эмиттеры могут быль расположены и на меньшем расстоянии, например, на расстоянии от 1 до 5000 нм от поверхности чувствительного к используемому излучению материала.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

However, if required field emission emitters can be placed at shorter distance, for example 1-5000 nanometers from the surface of the material sensitive to used radiation.

Однако при необходимости автоэмиссионные эмиттеры могут быль расположены и на меньшем расстоянии, например., на расстоянии от 1 до 5000 нм от поверхности чувствительного к используемому излучению материала.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

Then due to field emission emitters arrangement in the magnetic field they all can be placed at a distance z exceeding several millimeters from the surface of radiation-sensitive material.

При этом за счет расположения в магнитном поле все автоэмиссионные эмиттеры могут быть расположены и на расстоянии z, большем нескольких миллиметров, от поверхности чувствительного к используемому излучению материала.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

Apart from this the array of field emission emitters connected to at least one power supply can be used as each radiator array.

Помимо этого в качестве каждой из матриц излучателей может быть использована матрица автоэмиссионных эмиттеров, соединенных с по крайней мере одним источником тока.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

The best result is achieved when field emission emitter array and the material sensitive to used radiation are placed in the magnetic field directed over longitudinal axes of field emission emitters.

Причем оптимальный результат может быть получен в том случае, когда матрицу автоэмиссионных эмиттеров и чувствительный к используемому излучению материал размещают в магнитном поле, направленном вдоль продольных осей автоэмиссионных эмиттеров.

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

http://www.patentlens.net/ 11/18/2011

FIG. 2 shows an implementation of the apparatus for pattern generation in a material sensitive to used radiation that has an array of field-emission emitters.

На фиг.2 представлен вариант выполнения устройства для получения изображения на чувствительном к используемому излучению материале с матрицей, выполненной из автоэмиссионных эмиттеров.

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011

http://www.patentlens.net/ 11/25/2011