doped

Therefore, the substrate side with the first n+ conductivity type doped regions provided thereon is conventionally referred to as a first side, and the opposite side of the second p+ conductivity type basic layer—as a second side.

В связи с этим первой стороной подложки условно обозначили сторону, на которой выполнены легирование области первого типа проводимости n+, а второй стороной - противоположную, относящуюся к базовому слою второго типа проводимости p+.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Said highly-doped (lightly-doped) deflecting regions 3 are provided on the second side in the same manner as it is shown in FIGS. 2-3 for the collecting regions 2.

При этом высоколегированные (подлегированные) отклоняющие области 3 расположены на второй стороне аналогично тому, как это показано для собирающих областей 2 на фиг. 2-3.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

The part of the incident light reflected from the doped sites is visible even with the depth of the modified (doped) layer of material being just a few nanometers.

Отраженная от модифицированных участков часть падающего излучения наблюдается в видимом свете даже при глубине модифицированного слоя материала в несколько нанометров.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

Also, in a particular case, the converter may comprise at least two second conductivity type doped regions on the second side thereof, with at least one of M portions of the second electrode being electrically connected to each of said regions.

Также в частном случае со второй своей стороны преобразователь может содержать не менее двух легированных областей второго типа проводимости, с каждой из которых электрически соединен по крайней мере один из M участков второго электрода.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

a second heavily-doped region having the same conductivity type as the substrate located under the said first region, which forms a first potential barrier for the charge carriers generated in the substrate region under the first barrier;

вторую высоколегированную область одинакового с подложкой типа проводимости, расположенную под упомянутой первой областью и формирующую первый потенциальный барьер для носителей заряда, генерированных в области подложки под первым барьером;

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

http://www.patentlens.net/ 11/1/2011

In this case, no doped front layer in involved in the current collection by the MCC, i.e. in the element internal resistance, therefore it may be formed thin and moderately doped.

В данном случае легированный фронтальный слой не участвует в токосборе ННЗ, т.е. во внутреннем сопротивлении элемента, поэтому он может быть сформирован тонким и умеренно легированным.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

On the side of the sapphire substrate 2 the so-called “lateral contact” is formed through connection of the corresponding metallization layer 14 to the n-type doped confining layer 7 (see FIGS. 2 and 3).

Со стороны сапфировой подложки 2 так называемый "латеральный контакт" сформирован присоединением слоя металлизации 14 к легированному п-типа ограничительному слою 7.

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

http://www.patentlens.net/ 17.10.2011

In particular, the standard semiconductor wafer, for example, of the p type, can be doped on one side with an n-type mixture to a predetermined depth, for example, 100- 250 nm, by the method of diffusion of ions from a gas phase.

В частности, стандартная полупроводниковая пластина, например, р-типа, может быть легирована с одной стороны примесью n-типа на заданную глубину, например, 100-250 нм методом диффузии ионов из газовой фазы.

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

http://www.patentlens.net/ 11/10/2011

The converter according to claim 19, characterized in that on the second side thereof, at least two second conductivity type doped regions are provided to each of which at least one of M portions of the second electrode is electrically connected.

Преобразователь по п.19, отличающийся тем, что со второй своей стороны он содержит не менее двух легированных областей второго типа проводимости, с каждой из которых электрически соединен по крайней мере один из M участков второго электрода.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

On the second substrate 1a, highly-doped continuous p+ layer 3 is provided in the same manner.

На второй стороне подложки 1a аналогичным образом вводится высоколегированный сплошной p+ слой 3.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

On the second side, a continuous doped deflecting p+ region 3 is formed adjacent to which the second current collecting conducting electrode 5b is provided.

Со второй стороны создается p+ легированная отклоняющая сплошная область 3, к которой прилегает второй токосборный проводящий электрод 56.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

Furthermore, the highly-doped discrete regions 3 are provided under the strip portions 5b of the second electrode while the regions 3 themselves are isolated from each other by the dielectric 4.

Далее, дискретные высоколегированные области 3 расположены под полосковыми участками 5b второго электрода, а сами области 3 отделены друг от друга диэлектриком 4.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

The refractive index of the modifier (doped) sites changes drastically.

При этом резко меняется показатель преломления модифицированных участков.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

For example, when the surface of a diamond is doped with boron ions, the doped sited acquire semiconductor properties.

Например, при ионной имплантации в поверхность алмаза ионов бора, он на модифицированных участках приобретает полупроводниковые свойства.

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

http://www.patentlens.net/ 11/6/2011

Deflecting elements, deflecting regions are understood as doped portions (or regions) of the converter forming and not forming p-n-junctions together with the substrate and enabling deflection of MCC;

Отклоняющие элементы, отклоняющие области — легированные участки (или области) преобразователя, образующие и не образующие с подложкой р-п переходы, обеспечивающие отклонение ННЗ.

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011

http://www.patentlens.net/ 10/31/2011